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‘미친 선방쇼’ 비자 때문에 직관 못한 어머니···2차전은 현장 응원 가능할까

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작성자 행복이이
댓글 0건 조회 0회 작성일 26-06-21 13:11

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2026 북중미 월드컵에서 스페인을 상대로 무실점 선방쇼를 펼친 카보베르데 골키퍼 보지냐(본명 조지마르 디아스)의 어머니가 미국 비자 문제로 아들의 경기를 현장에서 보지 못한 사실이 알려지자 미국 정치권이 지원에 나섰다.
알자지라와 로이터통신 등에 따르면 미국 하원 민주당 원내대표 하킴 제프리스는 17일 마코 루비오 국무장관에게 보지냐의 어머니인 아나 칸디다 에보라의 미국 입국을 지원해달라고 요청했다.
제프리스 원내대표는 사회관계망서비스(SNS)를 통해 “어떤 어머니도 자신의 자녀가 역사를 쓰는 순간을 놓쳐서는 안 된다”며 “일요일 열리는 다음 경기를 현장에서 볼 수 있도록 국무부가 모든 노력을 기울여 달라고 요청했다”고 밝혔다.
에보라는 지난 15일 미국 애틀랜타에서 열린 케이프베르데와 스페인의 월드컵 조별리그 H조 1차전을 찾지 못했다. 미국 입국 비자 보증금과 항공료 등 비용 부담 때문에 일찌감치 원정 응원을 포기한 것으로 알려졌다.
도널드 트럼프 행정부는 지난 1월 비자 초과 체류를 막기 위해 카보베르데를 포함한 일부 국가 국민에게 최대 1만5000달러의 비자 보증금을 요구하는 제도를 도입했다. 미국 정부는 지난달 월드컵 입장권 소지자에 대해서는 보증금 의무를 면제한다고 발표했지만, 에보라는 이미 비용 문제로 미국 방문을 포기한 상태였다. 에보라는 로이터통신에 “아들의 경기를 직접 보고 싶었지만 그럴 수 없었다”고 말했다.
보지냐는 월드컵 데뷔전에서 우승 후보 스페인의 슈팅 27개를 막아내며 0-0 무승부를 이끌었다. 경기 종료 후 눈물을 흘린 그는 “어머니가 비자 문제 때문에 경기장에 오지 못했다”며 “꼭 함께했으면 좋았을 것”이라고 말했다.
미 국무부는 에보라가 비자를 신청한 기록은 없지만 선수 가족은 비자 보증금 면제 대상이라며 “선수 가족과 적극적으로 접촉해 비자 발급을 지원하고 있다”고 밝혔다.
이번 대회에서는 비자와 입국 문제가 잇따라 불거지고 있다. 소말리아 출신 심판 오마르 아르탄은 미국 입국이 거부돼 월드컵 경기 배정에서 제외됐고, 이란 대표팀 역시 일부 스태프가 비자를 받지 못해 어려움을 겪고 있다. 마리우 세메두 카보베르데 축구협회장은 “항공료와 숙박비, 입장권 가격이 모두 비싸 작은 나라 팬들이 월드컵을 찾기 쉽지 않다”며 “선수 가족만큼은 경기장을 찾을 수 있도록 최대한 지원해야 한다”고 말했다.
삼성전자와 SK하이닉스 간 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공급 경쟁이 달아오르고 있다. 올해 초 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 선점 경쟁을 벌인 두 회사가 불과 3주 차이로 HBM4E(7세대) 샘플 공급을 본격화하는 등 차세대 메모리 주도권 다툼이 고조되는 양상이다.
SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다. 이번 제품은 핀당 최대 16Gbs의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선하는 등 6세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율이 개선됐다는 게 회사 측 설명이다.
용량 면에선 ‘어드밴스드 MR-MUF 공정’을 적용해 12단 적층 기준 48GB를 구현했고, 열 저항도 HBM4 대비 17% 낮췄다. 이는 칩과 칩 사이의 회로를 보호하기 위해 액체 형태 보호재를 주입해 굳히는 공정이다.
SK하이닉스의 7세대 HBM4E 샘플 공급 일정은 지난 4월23일 실적 컨퍼런스콜에서 밝힌 올 하반기 예정에서 다소 앞당겨졌다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해갈 수 있는 기반을 마련했다”고 밝혔다.
앞서 삼성전자도 지난달 29일 HBM4E 12단 샘플 공급을 시작했다고 밝혔다. 삼성전자의 HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 데이터 처리 속도와 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트) 대역폭을 제공한다.
용량은 48GB이며, 고객사의 환경에 맞춰 32GB·64GB(8단·16단)까지 가능하다. 삼성전자는 이달 초 대만에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에서는 HBM5(8세대) 실물 모형까지 공개했다.
삼성전자와 SK하이닉스가 약 3주 간격으로 HBM4E 샘플 공급에 나서면서 차세대 메모리 주도권 경쟁이 더욱 치열해지고 있다.
특히 HBM의 ‘두뇌’인 베이스 다이(로직 다이) 경쟁이 핵심 승부처로 부상했다. 베이스 다이는 HBM 맨 아래에 위치한 칩으로 전력·신호를 제어하는 역할을 한다. ‘추론 AI’의 본격 확산으로 데이터 처리 속도는 물론 발열 관리와 전력 효율 등 베이스 다이 성능이 메모리 전체 성능을 결정할 수도 있는 변수로 떠올랐다.
삼성전자는 HBM4부터 베이스 다이에 파운드리사업부의 4나노 공정을 적용하며 업계 표준보다 높은 11.7Gbps 동작 속도를 구현했다고 밝혔다.
그동안 메모리 반도체 자체 공정을 베이스 다이에 적용한 SK하이닉스도 HBM4·HBM4E부터는 TSMC의 최선단 공정을 적용하고 있다.
고객사들의 특성과 요구에 맞춰 전력 효율이나 연산 역량을 강화하는 ‘커스텀 HBM’ 흐름이 가속화하며 두 기업은 차별화된 전략을 내세우고 있다.
삼성전자는 메모리, 파운드리, 로직을 모두 갖춘 ‘종합반도체’ 역량을 부각하고, SK하이닉스는 시장 점유율과 엔비디아·TSMC와의 ‘삼각동맹’에 기반한 안정적 양산 능력을 강조하는 식이다.
업계 관계자는 “AI발 메모리 품귀 현상에 더해 빅테크들의 자체 AI칩 개발 경쟁에도 속도가 붙으면서 HBM 공급 경쟁이 더욱 달아오를 것으로 전망된다”고 말했다.

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