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안양상간소송변호사 이 대통령 “호남 반도체 투자, 지역 차별 운운하지만 조족지혈에 불과”

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작성자 행복이이
댓글 0건 조회 28회 작성일 26-07-05 05:41

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안양상간소송변호사 이재명 대통령은 30일 정부의 호남 반도체 클러스터 조성 계획에 국민의힘이 반발하는 데 대해 “이걸 갖고 지역 차별 운운하는 경우도 있는 것 같은데, 호남 지역 투자가 조금 많은 게 사실이긴 하지만 역사적으로 누적된 투자량을 비교한다면 그야말로 조족지혈에 불과하다”고 말했다.
이 대통령은 이날 청와대에서 주재한 국무회의에서 “영호남 차별이 있던 건 분명한 사실”이라며 이같이 말했다.
이 대통령은 호남에 반도체 클러스터를 조성하기로 한 이유에 대해 “호남이 배제와 차별을 통해 그간 많은 어려움을 겪었는데 그게 전화위복 계기가 된 측면이 있다”며 “장기간 방치되고 개발에서 소외되면서 오히려 용수, 전력, 용지·토지가 잘 관리되고 보존된 측면이 있다”고 했다.
이 대통령은 “수도권에선 더는 전력과 용수를 구할 수 없는 상황이고 지금 계획도 감당하기 어려워 특단의 조치가 필요한 상황”이라며 “때마침 인공지능(AI) 열풍으로 대규모 투자가 필요하고 여력 있는 공간이 호남이었기 때문에 이런 결정에 이를 수 있었다”고 밝혔다.
6·3 지방선거 당선인들에게는 다른 비수도권 지역도 전략산업 거점으로 지원할 수 있다는 뜻을 밝혔다. 이 대통령은 “내일부터 민선 9기 지방정부 임기가 시작된다”며 “새 지방정부는 본격적인 균형발전 시대의 출발점이 돼야 한다”고 말했다.
이 대통령은 “각 지방의 특성을 감안한 획기적 초격차 전략산업 다극화가 필요하다”며 “이는 수도권을 위해서도, 대한민국 전체를 위해서도 반드시 가야 할 길”이라고 했다. 그러면서 “각 부처는 지방정부와 긴밀한 협력을 바탕으로 큰 결단을 해준 기업 투자 활동에 조금의 어려움이 없도록 선제적이고 전폭적인 지원을 아끼지 말아달라”고 지시했다.
전남광주통합특별시의회가 출범 첫 안건으로 반도체 투자 지원 조례안을 처리했다.
전남광주통합특별시의회는 1일 0시5분 전남도의회 본회의장에서 제1회 임시회 제1차 본회의를 열었다. 의회는 4선의 송형곤 의원을 초대 의장으로 선출한 뒤 ‘전남광주통합특별시 글로벌 반도체 전략투자 지원에 관한 조례안’을 의결했다.
조례안은 송 의장이 대표 발의했다. 이재명 정부가 발표한 삼성전자·SK하이닉스의 800조원 규모 반도체 투자계획을 지방정부 차원에서 지원하기 위한 내용이다.
조례에는 통합특별시장이 반도체 산업 투자 유치와 투자 이행 지원 시책을 수립·시행하고, 관계기관과 협력 체계를 구축하도록 하는 내용이 담겼다.
투자 유치와 이행 상황, 기반시설 지원 등을 심의·조정하는 반도체 전략위원회 설치 근거도 마련됐다. 투자 기업의 요청 사항을 신속히 처리하기 위한 기업별 전담 대응팀과 원스톱 지원 체계 구축 내용도 포함됐다.
조례안은 재석 의원 91명 전원 찬성으로 가결됐다.
정부는 지난달 29일 삼성전자와 SK하이닉스가 광주와 서남권에 800조원 규모의 반도체 팹 4기를 구축하는 투자계획을 발표했다.
국내 연구팀이 머리카락 굵기의 5분의 1 수준인 초박형 반도체 칩을 10층 이상 안정적으로 쌓는 기술을 개발했다. 세계적으로 주목받는 고대역폭 메모리(HBM)보다 약 4배 높은 집적 밀도를 구현한 기술이다.
포항공대(POSTECH)는 김석 기계공학과 교수(사진)와 김우현 통합과정 연구원, 금호현 한국생산기술연구원 박사 연구팀이 초박형 반도체 칩을 옮기면서 금속 접합까지 동시에 처리하는 공정을 개발했다고 30일 밝혔다.
포항공대에 따르면, 인공지능(AI) 서비스와 자율주행차를 구현하기 위해서는 대량의 데이터를 빠르게 처리할 수 있는 반도체가 필요하다. HBM은 메모리 칩을 여러 층으로 쌓아 성능을 높이는 구조다. 얇은 칩을 얼마나 정밀하고 안정적으로 쌓을 수 있는지가 핵심 기술로 꼽힌다.
문제는 칩이 얇아질수록 쉽게 휘거나 깨진다는 점이다. 수십 마이크로미터(㎛) 이하 두께의 칩은 여러 층으로 쌓는 과정에서 위치가 어긋나거나 손상될 가능성이 커진다.
연구팀은 칩을 원하는 위치에 정밀하게 옮겨 붙이는 ‘전사 프린팅’ 기술과 칩을 옮기는 순간 금속 접합까지 끝내는 ‘실시간 본딩’ 기술을 결합했다. 칩을 옮겨서 붙이고 전기적으로 연결하는 과정을 한 번에 처리하는 방식이다.
연구팀은 두께 약 14㎛ 초박형 실리콘 칩을 제작해 성능을 검증했다. 이 공정을 활용해 180도 이하의 저온, 20㎪ 이하의 저압 조건에서 칩을 10층 이상 안정적으로 쌓는 데 성공했다. 이번 연구 결과는 다학제 공학 분야 국제 학술지 ‘리절츠 인 엔지니어링(Results in Engineering)’ 온라인판에 실렸다.

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